NSBA113EDXV6T1
- Modelo do Produto:
- NSBA113EDXV6T1
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
- Status de RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 67975 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NSBA113EDXV6T1.pdf
Introdução
We can supply NSBA113EDXV6T1, use the request quote form to request NSBA113EDXV6T1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSBA113EDXV6T1.The price and lead time for NSBA113EDXV6T1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSBA113EDXV6T1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificações
| Número de peça interno | RO-NSBA113EDXV6T1 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-563 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 1 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 1 kOhms |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | NSBA113EDXV6T1OS |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 3 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | NSBA1* |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NSBA113EDXV6T1
Latest Notícias
- Onsemi lançou a primeira embalagem de pedágio do mundo 650 V Silicon Carbide Mosfet
- O kit de desenvolvimento de motor da ON Semiconductor foca primeiro na eficiência energética
- A plataforma lidar do fotomultiplicador de silício (SiPM) direto do tempo de vôo (dToF) da ON Semiconductor fornece projetos prontos para aplicações de alcance industrial
- ON Semiconductor e Theta Power Systems International estabelecem parceria para aplicações de controle de motores
- ON Semiconductor nomeia Hassane El-Khoury como CEO sucessor (CEO)