NP82N04NUG-S18-AY
Modelo do Produto:
NP82N04NUG-S18-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
69121 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NP82N04NUG-S18-AY.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NP82N04NUG-S18-AY
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 41A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.8W (Ta), 143W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9750pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Through Hole TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:82A (Tc)
Email:[email protected]

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