NJVMJD31CT4G-VF01
NJVMJD31CT4G-VF01
Modelo do Produto:
NJVMJD31CT4G-VF01
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
52362 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NJVMJD31CT4G-VF01.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NJVMJD31CT4G-VF01
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
Power - Max:1.56W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G-ND
NJVMJD31CT4G-VF01OSTR
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSTR-ND
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:3MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:25 @ 1A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max):50µA
Atual - Collector (Ic) (Max):3A
Número da peça base:MJD31
Email:[email protected]

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