NJVMJD122T4G-VF01
NJVMJD122T4G-VF01
Modelo do Produto:
NJVMJD122T4G-VF01
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59201 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NJVMJD122T4G-VF01.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NJVMJD122T4G-VF01
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:4V @ 8A, 80mA
Tipo transistor:NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
Power - Max:1.75W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G-ND
NJVMJD122T4G-VF01OSTR
NJVMJD122T4GOSTR
NJVMJD122T4GOSTR-ND
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max):10µA
Atual - Collector (Ic) (Max):8A
Número da peça base:MJD122
Email:[email protected]

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