NHPM120T3G
NHPM120T3G
Modelo do Produto:
NHPM120T3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
47999 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NHPM120T3G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NHPM120T3G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Powermite
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):25ns
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:DO-216AA
Outros nomes:NHPM120T3GOSCT
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 200V 1A Surface Mount Powermite
Atual - dispersão reversa @ Vr:500nA @ 200V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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