NHPJ08S600G
NHPJ08S600G
Modelo do Produto:
NHPJ08S600G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54631 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NHPJ08S600G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NHPJ08S600G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Pico Reversa (Max):Standard
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:8A
Tensão - Breakdown:TO-220FP
Série:-
Status de RoHS:Tube
Inversa de tempo de recuperação (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistência @ Se, F:-
Polarização:TO-220-2 Full Pack
Temperatura de Operação - Junção:50ns
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:NHPJ08S600G
Descrição expandida:Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220FP
configuração de diodo:30µA @ 600V
Descrição:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Atual - dispersão reversa @ Vr:3.2V @ 8A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):600V
Capacitância @ Vr, F:-55°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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