NDP603AL
Modelo do Produto:
NDP603AL
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
86171 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.NDP603AL.pdf2.NDP603AL.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NDP603AL
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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