Número de peça interno | RO-MR2A16AYS35 |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 35ns |
Tensão - Fornecimento: | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnologia: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 44-TSOP2 |
Série: | - |
Embalagem: | Tray |
Caixa / Gabinete: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Outros nomes: | 819-1013 MR2A16AYS35-ND |
Temperatura de operação: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memória: | Non-Volatile |
Tamanho da memória: | 4Mb (256K x 16) |
Interface de memória: | Parallel |
Formato de memória: | RAM |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 35ns 44-TSOP2 |
Tempo de acesso: | 35ns |
Email: | [email protected] |