MJD50T4G
- Modelo do Produto:
- MJD50T4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 400V 1A DPAK
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 45776 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MJD50T4G.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-MJD50T4G |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 400V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 200mA, 1A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.56W |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | MJD50T4GOS MJD50T4GOS-ND MJD50T4GOSCT |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 10MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 300mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 200µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
| Número da peça base: | MJD50 |
| Email: | [email protected] |
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