MBRT200200
- Modelo do Produto:
- MBRT200200
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 69866 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MBRT200200.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-MBRT200200 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Schottky |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Tensão - Breakdown: | Three Tower |
| Velocidade: | 100A |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Bulk |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarização: | Three Tower |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | MBRT200200 |
| Descrição expandida: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| configuração de diodo: | 1mA @ 200V |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 920mV @ 100A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitância @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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