MBR35100R
Modelo do Produto:
MBR35100R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
60405 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.MBR35100R.pdf2.MBR35100R.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MBR35100R
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:840mV @ 35A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:DO-4
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:DO-203AA, DO-4, Stud
Outros nomes:MBR35100RGN
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis, Stud Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky, Reverse Polarity
Descrição detalhada:Diode Schottky, Reverse Polarity 100V 35A Chassis, Stud Mount DO-4
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.5mA @ 20V
Atual - rectificada média (Io):35A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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