MBR20030CT
MBR20030CT
Modelo do Produto:
MBR20030CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
40802 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.MBR20030CT.pdf2.MBR20030CT.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MBR20030CT
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:650mV @ 100A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):30V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Twin Tower
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Twin Tower
Outros nomes:1242-1008
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky
configuração de diodo:1 Pair Common Cathode
Descrição detalhada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Atual - dispersão reversa @ Vr:5mA @ 20V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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