Número de peça interno | RO-KSC5019MTA |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 10V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 2A |
Tipo transistor: | NPN |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
Série: | - |
Power - Max: | 750mW |
Embalagem: | Tape & Box (TB) |
Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Outros nomes: | KSC5019MTA-ND KSC5019MTAFSTB KSC5019MTATB KSC5019MTATB-ND |
Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 7 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição: | 150MHz |
Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 10V 2A 150MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 140 @ 500mA, 1V |
Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Atual - Collector (Ic) (Max): | 2A |
Número da peça base: | KSC5019 |
Email: | [email protected] |