IXTY1R6N100D2
Modelo do Produto:
IXTY1R6N100D2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49358 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTY1R6N100D2.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXTY1R6N100D2
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 Ohm @ 800mA, 0V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:645pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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