IXTP01N100D
IXTP01N100D
Modelo do Produto:
IXTP01N100D
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33183 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTP01N100D.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXTP01N100D
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 Ohm @ 50mA, 0V
Dissipação de energia (Max):1.1W (Ta), 25W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:607074
Q1614635
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

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