IRF6665TR1PBF
IRF6665TR1PBF
Modelo do Produto:
IRF6665TR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
42366 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF6665TR1PBF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IRF6665TR1PBF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ SH
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:62 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric SH
Outros nomes:IRF6665TR1PBFTR
SP001564530
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.2A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

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