Número de peça interno | RO-IRF6665TR1PBF |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ SH |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric SH |
Outros nomes: | IRF6665TR1PBFTR SP001564530 |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
Descrição detalhada: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
Email: | [email protected] |