IRF530A
Modelo do Produto:
IRF530A
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
87423 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.IRF530A.pdf2.IRF530A.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IRF530A
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):55W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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