IRF5210L
- Modelo do Produto:
- IRF5210L
- Descrição:
- MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
- Status de RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 70172 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IRF5210L.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-IRF5210L |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-262 |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | *IRF5210L |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 100V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
