IPB038N12N3GATMA1
IPB038N12N3GATMA1
Modelo do Produto:
IPB038N12N3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31346 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IPB038N12N3GATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IPB038N12N3GATMA1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.8 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB038N12N3 GCT
IPB038N12N3 GCT-ND
IPB038N12N3GATMA1CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13800pF @ 60V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:211nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):120V
Descrição detalhada:N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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