IPB035N08N3 G
IPB035N08N3 G
Modelo do Produto:
IPB035N08N3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
62592 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IPB035N08N3 G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IPB035N08N3 G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Teste:8110pF @ 40V
Tensão - Breakdown:PG-TO263-2
VGS (th) (Max) @ Id:3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max):6V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:OptiMOS™
Status de RoHS:Digi-Reel®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100A (Tc)
Polarização:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB035N08N3 GDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IPB035N08N3 G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:117nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.5V @ 155µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80V
Rácio de capacitância:214W (Tc)
Email:[email protected]

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