IMH21T110
- Modelo do Produto:
- IMH21T110
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47053 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.IMH21T110.pdf2.IMH21T110.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-IMH21T110 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 20V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SMT6 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | - |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-74, SOT-457 |
| Outros nomes: | IMH21T110-ND IMH21T110TR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 150MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 820 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 600mA |
| Número da peça base: | *MH21 |
| Email: | [email protected] |
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