GB10SLT12-252
- Modelo do Produto:
- GB10SLT12-252
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 49234 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GB10SLT12-252.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-GB10SLT12-252 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 2V @ 10A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252 |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 1242-1140 GB10SLT12252 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição detalhada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Surface Mount TO-252 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io): | 10A |
| Capacitância @ Vr, F: | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Número da peça base: | GB10SLT12 |
| Email: | [email protected] |
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