FJP2160DTU
Modelo do Produto:
FJP2160DTU
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 800V 2A TO-220
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
69898 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FJP2160DTU.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FJP2160DTU
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):800V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:750mV @ 330mA, 1A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:ESBC™
Power - Max:100W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:5MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 100W Through Hole TO-220-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 400mA, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max):100µA
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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