FJN3310RTA
Modelo do Produto:
FJN3310RTA
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
80120 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FJN3310RTA.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FJN3310RTA
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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