FDFMA2P029Z-F106
Modelo do Produto:
FDFMA2P029Z-F106
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
83211 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDFMA2P029Z-F106.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FDFMA2P029Z-F106
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-MicroFET (2x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.4W (Ta)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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