FDB8132_F085
Modelo do Produto:
FDB8132_F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
82050 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDB8132_F085.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FDB8132_F085
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263)
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):341W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB8132_F085DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14100pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 13V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 80A (Tc) 341W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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