FDB3652-F085
FDB3652-F085
Modelo do Produto:
FDB3652-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31348 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDB3652-F085.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FDB3652-F085
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 61A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB3652-F085CT
FDB3652_F085CT
FDB3652_F085CT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2880pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 61A (Tc)
Email:[email protected]

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