EFC6602R-TR
Modelo do Produto:
EFC6602R-TR
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH EFCP
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55883 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
EFC6602R-TR.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-EFC6602R-TR
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:EFCP2718-6CE-020
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Power - Max:2W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-XFBGA, FCBGA
Outros nomes:EFC6602R-TROSCT
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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