DTC123YCAHZGT116
DTC123YCAHZGT116
Modelo do Produto:
DTC123YCAHZGT116
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
88683 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.DTC123YCAHZGT116.pdf2.DTC123YCAHZGT116.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-DTC123YCAHZGT116
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor:SST3
Série:Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:350mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DTC123YCAHZGT116CT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:33 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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