DMN10H120SFG-7
DMN10H120SFG-7
Modelo do Produto:
DMN10H120SFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
85178 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMN10H120SFG-7.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-DMN10H120SFG-7
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI3333-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:DMN10H120SFG-7-ND
DMN10H120SFG-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:549pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

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