BSP297H6327XTSA1
BSP297H6327XTSA1
Modelo do Produto:
BSP297H6327XTSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
36942 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
BSP297H6327XTSA1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-BSP297H6327XTSA1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 400µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-SOT223-4
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Dissipação de energia (Max):1.8W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:BSP297H6327XTSA1CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:357pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:660mA (Ta)
Email:[email protected]

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