BSC048N025S G
BSC048N025S G
Modelo do Produto:
BSC048N025S G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
85695 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
BSC048N025S G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-BSC048N025S G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 63W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC048N025SG
BSC048N025SGINCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 19A (Ta), 89A (Tc) 2.8W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 89A (Tc)
Email:[email protected]

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