BCR35PNE6327BTSA1
BCR35PNE6327BTSA1
Modelo do Produto:
BCR35PNE6327BTSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
66090 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
BCR35PNE6327BTSA1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-BCR35PNE6327BTSA1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-SOT363-6
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:BCR 35PN E6327
BCR 35PN E6327-ND
BCR35PNE6327BTSA1TR
BCR35PNE6327XT
SP000010831
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:150MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:BCR35PN
Email:[email protected]

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