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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTC90H12T2G
APTC90H12T2G
Modelo do Produto:
APTC90H12T2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
73970 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APTC90H12T2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-APTC90H12T2G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP2
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 26A, 10V
Power - Max:250W
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:SP2
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Super Junction
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição detalhada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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APTC90SKM60T1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 inquérito
APTCFP2VTR APEM Inc. SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V inquérito
APTC90H12T1G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 inquérito
APTC90SKM60CT1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 inquérito
APTCLGVTR APEM Inc. SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V inquérito
APTCFP1VTR APEM Inc. SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V inquérito
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