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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT94N65B2C6
APT94N65B2C6
APT94N65B2C6
Modelo do Produto:
APT94N65B2C6
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
36444 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APT94N65B2C6.pdf2.APT94N65B2C6.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-APT94N65B2C6
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:T-MAX™ [B2]
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 35.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):833W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8140pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:320nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:95A (Tc)
Email:[email protected]

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