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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SD2607FU6
2SD2607FU6
2SD2607FU6
Modelo do Produto:
2SD2607FU6
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
60772 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2SD2607FU6.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-2SD2607FU6
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):8A
Tensão - Breakdown:TO-220FN
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:100V
Série:-
Status de RoHS:Bulk
Resistor - Base (R1) (Ohms):40MHz
Power - Max:2W
Polarização:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SD2607FU6
Frequência - Transição:1000 @ 2A, 3V
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN
Descrição:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:10µA (ICBO)
Atual - Collector Cutoff (Max):1.5V @ 6mA, 3A
Atual - Collector (Ic) (Max):NPN - Darlington
Email:[email protected]

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