1N6625E3
1N6625E3
Modelo do Produto:
1N6625E3
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49067 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1N6625E3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-1N6625E3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Pico Reversa (Max):Standard
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1A
Tensão - Breakdown:A, Axial
Série:-
Status de RoHS:Bulk
Inversa de tempo de recuperação (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistência @ Se, F:-
Polarização:A, Axial
Temperatura de Operação - Junção:80ns
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:1N6625E3
Descrição expandida:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
configuração de diodo:1µA @ 1000V
Descrição:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.95V @ 1.5A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):1100V (1.1kV)
Capacitância @ Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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