1N5809US.TR
Modelo do Produto:
1N5809US.TR
Fabricante:
Semtech
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 6A
Quantidade em estoque:
65360 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1N5809US.TR.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-1N5809US.TR
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:875mV @ 4A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:-
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):30ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SQ-MELF
Temperatura de Operação - Junção:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:46 Weeks
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 100V 6A Surface Mount
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io):6A
Capacitância @ Vr, F:60pF @ 5V, 1MHz
Email:[email protected]

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