ZXMC3A18DN8TA
ZXMC3A18DN8TA
Part Number:
ZXMC3A18DN8TA
Producent:
Diodes Incorporated
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość w magazynie:
73448 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Czas produkcji:
4-8 weeks
Arkusz danych:
ZXMC3A18DN8TA.pdf

Wprowadzenie

We can supply ZXMC3A18DN8TA, use the request quote form to request ZXMC3A18DN8TA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ZXMC3A18DN8TA.The price and lead time for ZXMC3A18DN8TA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ZXMC3A18DN8TA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Wewnętrzny numer części RO-ZXMC3A18DN8TA
Stan Original New
Kraj pochodzenia Contact us
Najlepsze oznaczanie email us
Zastąpienie See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Dostawca urządzeń Pakiet:8-SO
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:25 mOhm @ 5.8A, 10V
Moc - Max:1.8W
Opakowania:Cut Tape (CT)
Package / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inne nazwy:ZXMC3A18DN8CT
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1800pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:36nC @ 10V
Rodzaj FET:N and P-Channel
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):30V
szczegółowy opis:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:5.8A, 4.8A
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze