NAND512R3A3AZA6E
- Part Number:
- NAND512R3A3AZA6E
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 51554 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NAND512R3A3AZA6E.pdf
Wprowadzenie
We can supply NAND512R3A3AZA6E, use the request quote form to request NAND512R3A3AZA6E pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NAND512R3A3AZA6E.The price and lead time for NAND512R3A3AZA6E depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NAND512R3A3AZA6E.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-NAND512R3A3AZA6E |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 60ns |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologia: | FLASH - NAND |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 55-VFBGA (8x10) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 55-TFBGA |
| Inne nazwy: | 497-3616 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 512Mb (64M x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 55-VFBGA (8x10) |
| Podstawowy numer części: | NAND512 |
| Czas dostępu: | 60ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NAND512R3A3AZA6E
Latest Aktualności
- Wysoka przełącznik podwójnego kanału półprzewodnika zapewnia większą elastyczność w projektowaniu napędu obciążenia pojemności
- ST półprzewodnikowy wprowadza produkty z węglika krzemu trzeciej generacji w celu promowania rozwoju w przyszłości pojazdów elektrycznych i zastosowań przemysłowych.
- Wiodący mikrokontroler STM32 na rynku półprzewodnikowym przyspiesza rozwój produktu bezprzewodowego