SI4668DY-T1-GE3
- Onderdeel nummer:
- SI4668DY-T1-GE3
- Fabrikant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
- RoHS-status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- hoeveelheid in voorraad:
- 65102 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Productie tijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- SI4668DY-T1-GE3.pdf
Invoering
We can supply SI4668DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4668DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4668DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4668DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4668DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
bestek
| Intern onderdeelnummer | RO-SI4668DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Staat | Original New |
| Land van oorsprong | Contact us |
| Top Markering | email us |
| Vervanging | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere namen: | SI4668DY-T1-GE3TR SI4668DYT1GE3 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 21 Weeks |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1654pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 25V |
| gedetailleerde beschrijving: | N-Channel 25V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 16.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SI4668DY-T1-GE3
Latest Nieuws
- Condensator werkprincipe
- Renesas is de eerste die een universele 32-bit RISC-V MCU lanceert met de zelf ontwikkelde CPU-kernel
- Op de lage -krachtige beeldsensor van Anmei tegenover het moderne visuele systeem
- ADI werkt samen met BMW Group om de toonaangevende 10 MB CAR Ethernet -technologie in de industrie te lanceren en een nieuw hoofdstuk te openen in Software Definition Automobiles
- Vishay lanceert de knop -potentiometer, vereenvoudigt het ontwerp van industriële en audiotoepassingen en optimaliseert de kosten
- Toshiba lanceert SmartMCD -serie Gate Driver IC met ingebedde microcontroller
- ADI -implementatie Sambanova -kit, die de productieformule AI promoot om doorbraak te bereiken op een bedrijfsniveau
- Honeywell en Adi hebben de handen in elkaar gekomen om de innovatie en verandering van het bouwen van automatisering te bevorderen
- Maxim kondigde de lancering aan
- Maxim Lanceert een auto DC-DC-converter Max16984, een auto met geïntegreerde USB-oplaadraamers
- Renesas Electronics lanceert de eerste programmeerbare elektrische stuurprogramma's van de industrie
- Renesas lanceerde de eerste generatie van 32-bit RISC-V CPU-kernel