Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE Stock Market Code : VSH)는 새로운 30 V-Symmetrical Dual 듀얼 채널 N- 채널 전력 MOSFET --- SIZF5300DT 및 SIZF5302DT 2 개가 높은 측면 및 낮은 측면 트렌치 GEN V MOSFET과 결합되어 있다고 발표했습니다. 3.3 mm PowerPair 3x3fs 단량체 포장.Vishay Siliconix SIZF5300DT 및 SIZF5302DT는 컴퓨팅 및 통신 애플리케이션 전력 변환에 적합합니다. 에너지 효율을 높이면 구성 요소의 수가 줄어들고 설계가 단순화됩니다.

며칠 전에 출시 된 듀얼 채널 MOSFET은 2 개의 PowerPak 1212 포장 된 별도의 장치를 대체하는 데 사용될 수 있으며, 50%기판 공간을 절약하고 점유 영역은 PowerPair 6x5F 포장 이중 MOSFET에 비해 63%감소합니다.MOSFET은 USB-C Power Laptop, Server, DC Cooling Fan 및 통신 장비 동기식 항 고혈압 변환기,로드 포인트 (POL) 변환 회로 및 DC/DC 모듈 디자이너에 대한 공간 절약 솔루션을 제공합니다.이러한 애플리케이션 중에서 SIZF5302DT High and Low Side MOSFET은 듀티 사이클의 50%높은 품질의 듀티 사이클과 우수한 에너지 효율, 특히 1 A ~ 4 A 미만의 에너지 효율을 제공합니다.Sizf5300DT는 12 A에서 15 A의 이상적인 솔루션입니다.

SIZF5300DT 및 SIZF5302DT는 Vishay의 30 V Gen V 기술을 사용하여 우수한 리드 저항 및 게이트 하전을 달성합니다.Sizf5300dt 10 V 및 4.5V의 전형적인 가이드 저항은 각각 2.02MW 및 2.93 MW이며, 지침 저항은 SIZF5302DT의 동일한 조건에서 2.7MW 및 4.4 MW입니다.2 개의 MOSFET 4.5V 조건은 각각 9.5 NC 및 6.7 NC입니다.Ultra -Low- 도전성 저항 및 그리드 충전 축적, 즉 MOSFET 전력 변환 응용 프로그램 중요한 우수 계수 (FOM)는 유사한 리드 저항기의 이전 세대 솔루션보다 35 %낮습니다.고주파 스위칭 적용의 효율은 2%이며 에너지 효율은 98%에 도달합니다.

이전 세대 솔루션과 비교했습니다

이 장치는 반전 된 칩 기술을 사용하여 열 소산 용량을 향상시킵니다. 고유 한 핀 구성은 PCB 레이아웃을 단순화하고 스위칭 회로의 단축을 지원하여 기생 인덕턴스를 줄입니다.SIZF5300DT 및 SIZF5302DT는 ROHS 표준을 충족하고 할로겐이없는 100% RG 및 UIS로 테스트됩니다.

장치 사양 테이블 :

SIZF5300DT 및 SIZF5302DT는 이제 샘플 및 대량 생산을 제공 할 수 있습니다.공급주기 정보는 [email protected]에 이메일을 보내거나 보내주십시오.