내부 부품 번호 | RO-PHK5NQ15T,518 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 1mA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
연속: | TrenchMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 75 mOhm @ 5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 6.25W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들: | 934057307518 PHK5NQ15T /T3 PHK5NQ15T /T3-ND |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 2 (1 Year) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1150pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 150V |
상세 설명: | N-Channel 150V 5A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 5A (Tc) |
Email: | [email protected] |