NTZD3155CT1G
- 제품 모델:
- NTZD3155CT1G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 48899 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- NTZD3155CT1G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-NTZD3155CT1G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지: | SOT-563 |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| 전력 - 최대: | 250mW |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-563, SOT-666 |
| 다른 이름들: | NTZD3155CT1GOSTR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 46 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 150pF @ 16V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| FET 유형: | N and P-Channel |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
| 상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 540mA, 430mA |
| 기본 부품 번호: | NTZD3155C |
| Email: | [email protected] |
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