NTHD3102CT1G
- 제품 모델:
- NTHD3102CT1G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 44879 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- NTHD3102CT1G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-NTHD3102CT1G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.2V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지: | ChipFET™ |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| 전력 - 최대: | 1.1W |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 8-SMD, Flat Lead |
| 다른 이름들: | NTHD3102CT1G-ND NTHD3102CT1GOSTR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 47 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 510pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 7.9nC @ 4.5V |
| FET 유형: | N and P-Channel |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
| 상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4A, 3.1A |
| 기본 부품 번호: | NTHD3102C |
| Email: | [email protected] |
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