NJVMJD112G
- 제품 모델:
- NJVMJD112G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 50601 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- NJVMJD112G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-NJVMJD112G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 100V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 3V @ 40mA, 4A |
| 트랜지스터 유형: | NPN - Darlington |
| 제조업체 장치 패키지: | DPAK |
| 연속: | - |
| 전력 - 최대: | 1.75W |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 작동 온도: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 5 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환: | 25MHz |
| 상세 설명: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 1000 @ 2A, 3V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 20µA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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