NJVMJB41CT4G
NJVMJB41CT4G
제품 모델:
NJVMJB41CT4G
제조사:
ON Semiconductor
기술:
TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
90123 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
NJVMJB41CT4G.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-NJVMJB41CT4G
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):6A
전압 - 파괴:D2PAK-3
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):100V
연속:-
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
저항기 -베이스 (R1) (옴):3MHz
전력 - 최대:2W
편광:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:NJVMJB41CT4G-ND
작동 온도:-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:28 Weeks
제조업체 부품 번호:NJVMJB41CT4G
주파수 - 전환:15 @ 3A, 4V
확장 설명:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 2W Surface Mount D2PAK-3
기술:TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:700µA
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):1.5V @ 600mA, 6A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):NPN
Email:[email protected]

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