MJD5731T4G
- 제품 모델:
- MJD5731T4G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- TRANS PNP 350V 1A DPAK
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 81602 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- MJD5731T4G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-MJD5731T4G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 1A |
| 전압 - 파괴: | DPAK-3 |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 350V |
| 연속: | - |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴): | 10MHz |
| 전력 - 최대: | 1.56W |
| 편광: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들: | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 6 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | MJD5731T4G |
| 주파수 - 전환: | 30 @ 300mA, 10V |
| 확장 설명: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3 |
| 기술: | TRANS PNP 350V 1A DPAK |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 100µA |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 1V @ 200mA, 1A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | PNP |
| Email: | [email protected] |
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