Interne Teilenummer | RO-MJD5731T4G |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1A |
Spannung - Durchschlag: | DPAK-3 |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 350V |
Serie: | - |
RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 10MHz |
Leistung - max: | 1.56W |
Polarisation: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen: | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | MJD5731T4G |
Frequenz - Übergang: | 30 @ 300mA, 10V |
Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3 |
Beschreibung: | TRANS PNP 350V 1A DPAK |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100µA |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1V @ 200mA, 1A |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | PNP |
Email: | [email protected] |