내부 부품 번호 | RO-DMP57D5UFB-7 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±8V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 6 Ohm @ 100mA, 4V |
전력 소비 (최대): | 425mW (Ta) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 3-UFDFN |
다른 이름들: | DMP57D5UFB-7-ND DMP57D5UFB-7DITR DMP57D5UFB7 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 29pF @ 4V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 2.5V, 4V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 50V |
상세 설명: | P-Channel 50V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 200mA (Ta) |
Email: | [email protected] |